基于Sn/Bi合金的低温气密性封装工艺研究

摘要：

研究了采用Sn/Bi合金作为中间层的键合封装技术.通过电镀的方法在基片上形成Cr/Ni/Cu/Sn、芯片上形成Cr/Ni/Cu/Bi多金属层,在513K、150Pa的真空环境中进行共晶键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染.实验表明:这种键合工艺具有较好的气密性,键合区合金层分布均匀,无缝隙、气泡等缺陷,键合强度较高,能够满足电子元器件和微机电系统(MEMS)可动部件低温气密性封装的要求.

关键词：微机电系统、气密性封装、低温键合

所属期刊栏目：12

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金10377009;电子工业部电子科学研究院预研项目41308050116

在线出版日期：2006-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：211-214