具有渐变层半导体DBR的MOCVD外延制备

摘要：

应用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)制备了具有渐变层的半导体布拉格反射镜(DBR),分别是抛物线性、线性和突变结构的DBR.三种反射镜结构都设计为8个周期,通过白光反射谱测量突变DBR具有最大反射率.应用原子力显微镜对所制备的DBR表面形貌进行分析.结果表明,相同周期数情况下线性渐变DBR相对于其他两种结构粗糙度最小,具有良好的表面形貌,可以应用于垂直腔面发射激光器的研制.

关键词：布拉格反射镜、金属有机化合物气相淀积、原子力显微镜、AlGaAs

所属期刊栏目：12

分类号：TN304.054(半导体技术)

资助基金：中国科学院资助项目69889601;国家科技攻关项目2002AA312070;国家研究发展基金G20000683-02;北京市自然科学基金4021001;北京市教委科研项目01kJ-014

在线出版日期：2006-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：207-210