用于MEMS结构的光刻胶牺牲层接触平坦化技术

摘要：

实验研究一种新颖的光刻胶牺牲层的接触平坦化(contact planarization)技术,应用于MEMS结构制作.实验研究了温度与光刻胶流动性的关系,以及牺牲层厚度、施加压力和温度、MEMS结构密度等因素对平坦化效果的影响,在优化条件下,牺牲层的起伏台阶从2μm减小到20～40nm.与化学机械抛光技术相比,接触平坦化无明显凹陷(Dishing)效应,无衬底损伤,同时呈现出良好的局部和总体均匀性.

关键词：MEMS、接触平坦化、化学机械抛光、均匀性、凹陷效应

所属期刊栏目：12

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：上海微系统与信息技术研究所与韩国三星综合技术院的项目

在线出版日期：2006-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：135-138,154