无机EL显示器件用高性能介电层的研究

摘要：

用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530～730nm的SrTiO3/Ta2O5复合介电层,获得在500Hz下介电常数为48～73,反映介电损耗的参数ΔVy在0.06～0.15V之间,击穿场强为106～139MV/m,在0.05V/nm的电场下正、反向漏电流在10-9～10-7A/cm2之间,品质因子(εrεoEb)大于5μc/cm2.同时比较了SrTiO3/Ta2O5复合介电层和SrTiO3和Ta2O5单层薄膜的介电性能.把复合膜应用于以ZnS:Mn和Zn2Si0.5Ge0.5O4:Mn为发光材料的器件中,获得了适当的阈值电压和较高的亮度.

关键词：无机EL、SrTiO3薄膜、Ta2O5薄膜、SrTiO3/Ta2O5复合膜

所属期刊栏目：12

分类号：TN104.3(真空电子技术)

在线出版日期：2006-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：99-102