ECR-CVD制备氟化非晶碳低k介质薄膜

摘要：

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法,以C4F8和CH4为源气体在不同气体流量比R(R=[CH4]/{[CH4]+[C4F8]})条件下成功地沉积了氟化非晶碳(a-C:F)低介电常数(低k)材料.采用X光电子能谱和椭圆光谱方法分析了a-C:F薄膜的化学组分和光学性质.沉积的a-C:F薄膜介电常数约为2.1～2.4,热稳定性优于350℃.随着气体流量比的增大,沉积a-C:F薄膜中的碳含量增大,CF、CF2、CF3含量减少,C-C交链成分增加,从而使得π-π(*)吸收增强,并引起薄膜光学带隙下降.氮气气氛下350℃温度退火后应力释放引起a-C:F薄膜厚度变化,变化量小于4%.450℃温度退火后,由于热分解作用薄膜厚度变化量在30%左右.

关键词：氟化非晶碳、ECR-CVD、光电子能谱、椭圆光谱

所属期刊栏目：12

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家重点实验室基金51433020205DZ01

在线出版日期：2006-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：86-90