基于BSIM3V3的部分耗尽SOI MOSFET解析模型

摘要：

提出了部分耗尽SOI MOSFET物理模型,SOI MOSFET可以看作体硅MOSFET和双极晶体管的结合,模型通过详细地分析SOI器件在各工作区域的工作机理得出,并提取出了相应的模型参数.用本模型得出的模拟数据与器件模拟数据进行了对比,取得了很好的一致性.

关键词：SOI MOSFET、物理模型、参数提取

所属期刊栏目：12

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2006-04-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：67-70