期刊专题

10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.007

温度对电沉积的SnS薄膜的结构和性能的影响

引用
在溶液的pH=2.7,离子浓度比Sn2+/S2O32-=1/5,沉积电位为-0.72~-0.75V(vs.SCE)的条件下,控制溶液的温度在30~50℃之间变化,用阴极恒电位电沉积法在ITO导电玻璃基片上沉积SnS薄膜.通过对薄膜的结构和光学性能研究,结果表明:溶液的温度越高,制备出的SnS薄膜更加致密,均匀,薄膜的衍射峰也越来越明显;同时SnS薄膜对光的吸收范围也向长波方向拓宽.

电沉积、沉积温度、SnS薄膜

12

O484.4+1(固体物理学)

福建省教育厅科研项目JA03009;高等学校博士学科点专项科研项目XJBH-0201;上海市科技发展基金2004-XQ-23

2006-04-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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功能材料与器件学报

1007-4252

31-1708/TB

12

2006,12(1)

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