10.3969/j.issn.1007-4252.2005.04.014
磁控溅射法制备TiO2空穴缓冲层的有机发光器件
采用磁控溅射方法在ITO表面制备了不同厚度的TiO2超薄膜用做有机发光二极管(OLEDs)的空穴缓冲层,使OLEDs (ITO/ TiO2/ TPD/ Alq3 / Al)的发光性能得到很大改善.研究TiO2缓冲层厚度对器件性能影响的结果表明,当TiO2缓冲层厚度为1 nm,电流密度为100 mA/cm2时,器件的发光效率为2 cd/A,比未加缓冲层器件的发光效率增加了近一倍.这是由于加入适当厚度的TiO2缓冲层限制了空穴的注入并且提高了空穴与电子注入之间的平衡.
TiO2超薄膜、磁控溅射、有机发光二极管、空穴缓冲层
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TN383+.1(半导体技术)
广东省博士启动基金021169
2006-01-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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