P型微晶硅材料及在薄膜太阳电池上的应用

摘要：

采用VHF-PECVD技术沉积硼掺杂的P型微晶硅薄膜材料,在硅烷浓度(SC)为0.8%,反应气压93Pa时,随等离子体功率的增加,材料的晶化率和电导率先增大,后减小;薄膜的透过率随功率的增大而增加.将获得的P型微晶硅薄膜应用在微晶硅薄膜太阳电池中,电池结构为glass/p-μc-Si:H/I-μc-Si:H/n-μc-Si:H/Al, 厚度约1μm,没有背反射电极的情况下,电池效率达到了7.32%(Voc＝0.520V,Jsc＝21.33mA/cm2,FF＝64.74%).

关键词：VHF-PECVD、微晶硅、太阳电池

所属期刊栏目：11

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000028203;G2000028202;教育部科学技术研究项目02167

在线出版日期：2006-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：423-426