曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构应力阻抗效应研究

摘要：

采用磁控溅射法在玻璃基底上制备了曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构,在1～40MHz范围内研究了FeSiB膜和Cu膜厚度对三层膜结构应力阻抗效应的影响.结果表明:高频下三层膜的应力阻抗效应随着其形变的增加近似线性增加,在自由端弯曲变形1mm、外加电场频率为25MHz时,应力阻抗效应达到-18.3%,在力敏传感器方面具有广阔的应用前景.

关键词：应力阻抗、FeSiB/Cu/FeSiB三层膜、磁控溅射、曲折状

所属期刊栏目：11

分类号：O484.4+3(固体物理学)

资助基金：中国科学院资助项目50275096;上海市纳米科技专项基金0215nm104;0352nm014

在线出版日期：2006-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：419-422