SiC功率器件与电路中的栅介质技术

摘要：

目前,宽带隙半导体材料SiC在功率MOS器件与电路方面的巨大优势一直没有很好地体现出来,这主要是受到SiC衬底上栅介质绝缘层的质量及界面特性方面的限制.本文在总结比较国际该领域研究现状的基础上,分析了碳元素的存在对介质层质量和界面态密度的影响,指出通过低温沉积氧化层以获得良好的界面质量,并通过高k介质的引入以提高介质层可靠性是今后SiC功率器件与电路研制中比较理想的栅介质制备技术.

关键词：碳化硅、功率器件、界面态、复合栅介质

所属期刊栏目：11

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：教育部科学技术研究项目J02074;教育部预研项目41308060105

在线出版日期：2005-10-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：394-398