退火温度对sol-gel制备的ZnO薄膜的结构影响

摘要：

采用sol-gel旋涂法在抛光硅<111>晶面生长了高度C轴取向的ZnO薄膜.DSC以及XRD测试结果显示此溶胶系统的最佳退火温度为450℃左右,更高的退火温度将对薄膜的择优取向产生不利的影响.SEM显示薄膜表面致密、均匀、光滑,组成薄膜的颗粒尺寸在50～100nm,并显示出良好的C轴择优取向.

关键词：ZnO薄膜、溶胶-凝胶法、热处理

所属期刊栏目：11

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：广东省自然科学基金021286;广东省深圳市科技计划

在线出版日期：2005-10-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：370-372