高性能图形化SOI功率器件的研制

摘要：

利用掩膜注氧隔离技术(Masked SIMOX)制备图形化SOI衬底,采用与常规1μm SOI CMOS工艺兼容的工艺流程,制备了图形化SOI LDMOS 功率器件.器件的输出特性曲线中未呈现翘曲效应、开态击穿电压高于6V、关态击穿电压达到13V、泄漏电流的量级为10-8A;截止频率为8GHz;当漏工作电压3.6V,频率为1GHz时,小信号电压增益为6dB.直流和射频电学性能表明,图形化SOI LDMOS结构作为射频功率器件具有较好的开发前景.

关键词：图形化SOI技术、LDMOS、射频功率器件、增益

所属期刊栏目：11

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：上海市自然科学基金03ZR14109

在线出版日期：2005-10-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：333-337