10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.027
超厚SU-8负胶高深宽比结构及工艺研究
采用新型SU-8光刻胶在UV-LIGA技术基础上制备了各种高深宽比MEMS微结构,研究了热处理和曝光两个重要因素对高深宽比微结构的影响,解决了微结构的开裂和倒塌等问题;优化了SU-8胶工艺,从而获得了最大深宽比为27:1的微结构.
UV-LIGA技术、SU-8胶、高深宽比微结构
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TN305.7(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划2002AA404150
2005-07-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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