锰掺杂对PbZr0.5Ti0.5O3铁电薄膜电学性能的影响

摘要：

采用Sol-gel方法在生长有LNO3的Si(100)衬底上制备了掺Mn的PbZr0.5Ti0.5O3铁电薄膜(PMZT).PMZT薄膜具有优良的铁电性.在外加电场下观察到了非对称剩余极化翻转行为.这种剩余极化的翻转不对称随着锰掺杂浓度的增加而变大,从而表明极化过程中产生的内建偏压电场是由Mn的掺杂引起的.当薄膜厚度保持不变时候,PMZT薄膜的剩余极化(Pr)和平均矫顽电场(Ec)随着锰掺杂浓度的增大而减小.在低频下,PMZT薄膜的介电常数随着锰的掺杂浓度的增加而减小.瞬时电流随着时间的呈指数衰减,最后到达饱和的稳态值.样品的漏电流密度随着电压的增加而近似地线性增加,显示出欧姆特性.在相同电压下,漏电流密度随着Mn掺杂浓度的增加而增加.

关键词：铁电薄膜、剩余极化、介电特性

所属期刊栏目：11

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60221502,60371040;国家自然科学基金60223006

在线出版日期：2005-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：211-214