铜与硅之间W/Mo-N薄膜的扩散阻挡层性能

摘要：

研究了铜与硅之间W/Mo-N薄膜的扩散阻挡性能.在Si(100)基片上利用反应溅射沉积一层Mo-N薄膜,然后再利用直流溅射在Mo-N上面沉积Cu/W薄膜.样品在真空下退火,并利用四点探针、X射线衍射分析、扫描电镜分析、俄歇电子能谱原子深度剖析等测试方法研究了Cu/W/Mo-N/Si的热稳定性及W/Mo-N薄膜对铜与硅的扩散阻挡性能.实验分析表明,Cu/W/Mo-N/Si结构具有非常好的热稳定性,在600℃退火30min仍未发生相变,并能有效的阻挡铜与硅之间的扩散.

关键词：W/Mo-N、扩散阻挡层、溅射、热稳定性

所属期刊栏目：11

分类号：TN305.92(半导体技术)

在线出版日期：2005-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：197-201