SOI射频集成器件研制

摘要：

提出了包含射频有源和无源器件的SOI集成结构及工艺方案,在同一SIMOX衬底上制作了射频LDMOS、NMOS、电感、电容、电阻和变容管.核心的LDMOS、NMOS和电感器件均获得了优良的电学特性:0.25μm栅长的LDMOS截止频率和关态击穿电压分别为19.3 GHz和16.1 V;而0.25μm栅长的NMOS对应参数则为21.3 GHz和4.8 V;采用开发的局部介质增厚技术后,2 nH、5 nH、10 nH螺旋电感的最大品质因数分别达到了6.5、5.0、4.0,相对于不采用此技术的电感(最大品质因数分别为4.3、3.2、2.3),分别改善了77%,58%,49%.

关键词：射频、绝缘硅、LDMOS、NMOS、电感、结构、制造

所属期刊栏目：11

分类号：TN385;TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2002AZ1580

在线出版日期：2005-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：177-182