不同烧结工艺对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响

摘要：

分别采取四种不同的工艺过程,按照配方TiO2+0.3mol%(SrCO3+Bi2O3+SiO2)+0.075mol%Ta2O5制备四种试样.通过压敏电压、非线性系数、复阻抗特性、伏安特性、势垒高度、介电频率特性和损耗频率特性的测定,研究了一次烧成、粉料预烧及预烧方式对TiO2基压敏陶瓷电性能的不同影响.结果表明,采取一次烧成工艺制备的试样具有压敏电压较低(E10mA=7.9 V·mm-1)、介电常数较大(εra=5.88×104)等特性,并从理论上对此作出一定的分析.

关键词：TiO2基压敏陶瓷、压敏电压、非线性系数、介电常数、半导化、损耗

所属期刊栏目：11

分类号：TN304.93(半导体技术)

资助基金：安徽省教育厅科研项目2005KJ224;安徽省高校教学研究项目X200521;安徽省信息材料与器件重点实验室基金

在线出版日期：2005-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：149-152