磁控溅射法制备IrMn底钉扎自旋阀研究

摘要：

采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/buffer layer/IrMn/CoFe/Cu/CoFe/NiFe/Ta的IrMn底钉扎自旋阀.研究了NiFe和Cu作为缓冲层对自旋阀磁性能的影响,并对缓冲层厚度进行了参数优化,当缓冲层厚度为2nm时自旋阀各项性能达到最佳.研究了退火制度对底钉扎自旋阀性能的影响,得到了3000Oe强磁场下200℃保温1h为最佳处理条件.通过结构的改善和工艺的优化,得到的底钉扎自旋阀的磁电阻率8.51%,矫顽场为0.5Oe,交换偏置场超过800Oe.最后对自旋阀的底钉扎和顶钉扎结构进行了比较.

关键词：自旋阀、底钉扎、巨磁电阻、退火效应

所属期刊栏目：11

分类号：O482.52(固体物理学)

在线出版日期：2005-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：143-148