等效厚度评估GaAs MMIC的Si3N4电容可靠性

摘要：

通过不同 GaAs MMIC的 MIM Si3N4电容结构, 运用 TDDB理论研究分析了斜坡电压下的 MIM Si3N4电容的导电特性和击穿特性,确定了 GaAs MMIC的 MIM Si3N4电容失效不是介质本征 击穿导致失效,而主要是由 Si3N4 介质的缺陷引起.基于缺陷导致介质电场击穿的原理,提出了等 效厚度模型评估和监测 GaAs MMIC的 Si3N4介质电容的质量和可靠性的新方法,可以用于工艺生 产线实现对 Si3N4介质电容的质量和可靠性进行快速评估和监测.

关键词：Si3N4电容、等效厚度、评估、可靠性

所属期刊栏目：10

分类号：TN306(半导体技术)

在线出版日期：2005-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：484-488