GaAs霍尔元件不等位电势的调制消除

摘要：

测试了 MESFET工艺条件下制作的霍尔片的基本性能.对设计出的 GaAs集成霍尔元件进 行了不等位电势的测试,采用霍尔元件并联和自旋电流的方法对 GaAs方形霍尔元件的不等位电 势进行了静态和动态调制消除.实验结果表明 GaAs霍尔元件的不等位电势引起的偏差可以控制 在可以忽略的范围内.

关键词：霍尔效应、磁传感器、不等位电势

所属期刊栏目：10

分类号：TN382(半导体技术)

资助基金：上海市汽车工业科技发展基金

在线出版日期：2005-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：455-458