氧气等离子体处理对AlGaN肖特基接触的影响

摘要：

研究了不同的干法刻蚀以及氧气等离子体处理条件对 AlGaN表面特性的影响.在合适的条 件下,氧气等离子体处理可以使 AlGaN表面发生氧化, 并使肖特基接触的反向漏电流降低两个数 量级,反向击穿电压也有显著提高.该方法简单易行,可应用于制备高性能的 AlGaN/GaN HEMT 器件.

关键词：AlGaN、肖特基接触、等离子体

所属期刊栏目：10

分类号：TN325+.3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60244001;清华大学校科研和教改项目JZ2002005

在线出版日期：2005-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：451-454