注氮剂量对SIMON材料性能影响的研究

摘要：

采用氧氮共注的方法制备了氮氧共注隔离 SOI (SIMON) 圆片,对制备的样品进行了二次离 子质谱和透射电镜分析,并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析.结果表明,注氮剂量较低 时埋层质量较好.机理分析结果表明,圆片的抗辐照性能与埋层质量之间存在很密切的关系,埋层 的绝缘性能是影响器件抗辐射效应的关键因素.

关键词：氧氮共注、氮氧共注隔离、SIMON、SOI、注入剂量

所属期刊栏目：10

分类号：TN47;TN305.3(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2005-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：437-440