ZnO/GaN/Al2O3的X射线双晶衍射研究

摘要：

以 H2O作氧源, Zn(C2H5)2作 Zn源, N2作载气,以 GaN/Al2O3为衬底采用常压 MOCVD技术 生长了高质量的 ZnO单晶膜.用 X射线双晶衍射技术测得其对称衍射 (0002)面ω扫描半峰宽 ( FWHM)为 404arcsec,表明所生长的 ZnO膜具有相当一致的 C轴取向;其对称衍射( 0004)面ω- 2θ扫描半峰宽为 358arcsec,表明所生长的 ZnO单晶膜性能良好;同时,该 ZnO薄膜的非对称衍射 (1012)面ω扫描半峰宽为 420arcsec,表明所生长的 ZnO膜的位错密度为 108cm- 2,与具有器件质 量的 GaN材料相当.

关键词：MOCVD、ZnO、GaN、X射线双晶衍射

所属期刊栏目：10

分类号：TN304.055(半导体技术)

在线出版日期：2005-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：427-431