气态源分子束外延生长重碳掺杂p型InGaAs研究

摘要：

采用气态源分子束外延( GSMBE)技术,以四溴化碳( CBr4)作为碳杂质源,系统研究了 InP衬 底上碳掺杂 p型 InGaAs材料的外延生长及其特性,在 AsH3压力 5.33× 104Pa,生长温度 500℃条件 下获得了空穴浓度高达 1× 1020/cm3、室温迁移率为 45cm2/Vs的重碳掺杂 p型 In0.53Ga0.47As材料. 研究了 CBr4和 AsH3束流强度以及生长温度等生长条件对碳掺杂 InGaAs外延层组份、空穴浓度和 迁移率的影响,并对不同生长条件下的氢钝化效应进行了分析.

关键词：分子束外延、碳掺杂、四溴化碳、InGaAs、异质结双极晶体管

所属期刊栏目：10

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G20000683- 04,2002CB311902

在线出版日期：2005-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：423-426,412