掺杂硅纳米线的研究进展

摘要：

掺杂是制备硅纳米线半导体器件的一个有效手段.介绍了掺杂硅纳米线的最新进展,主 要就掺杂种类,包括硼、磷及锂掺杂硅纳米线,性能测量,包括光致发光特性、电子输运特性、场 发射特性及其近端 X射线吸收精细结构光谱等及在单电子探测器与计数器、存储元件、纳米线 传感器等最新应用研究进展进行了较详细的讨论,最后对掺杂硅纳米线的发展前景作了展望.

关键词：硅纳米线、掺杂、性能、应用

所属期刊栏目：10

分类号：TN305.3(半导体技术)

在线出版日期：2005-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：399-406