中波碲镉汞边缘接触不对称MIS结构的低频噪声

摘要：

对两种不同结构的中波碲镉汞光导红外探测器件的噪声进行了测量,发现叠层结构器件的低频噪声比具有简单结构器件的大.针对叠层结构,提出了用来分析噪声的边缘接触不对称MIS结构模型.分析表明,叠层电极下的碲镉汞表面在偏置电压作用下,容易出现耗尽层是低频噪声增加的主要原因.

关键词：碲镉汞、探测器、叠层结构、低频噪声

所属期刊栏目：10

分类号：TN304.2+6;TN36(半导体技术)

资助基金：上海市科委资助项目022261024

在线出版日期：2004-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：391-394