氮化时间对扩镓硅基GaN晶体膜质量的影响

摘要：

采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响.测试结果表明:采用两步法生长得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,扩镓硅层有效的抑制了硅衬底的氮化和弛豫了GaN与Si衬底的热失配.同时显示:在相同的氮化温度下,晶粒尺寸随氮化时间的增加而增大,薄膜的晶化程度相应的得到提高.

关键词：射频磁控溅射、Ga2O3薄膜、GaN晶体膜、氮化温度

所属期刊栏目：10

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金90201025;国家自然科学基金60071006

在线出版日期：2004-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：364-368