离子束增强沉积VO2多晶薄膜的相变模拟

摘要：

用多晶薄膜晶粒-晶界两相结构模型,考虑晶格畸变和载流子对晶界势垒区的隧穿机制,在10～100℃范围内,模拟了离子束增强沉积(IBED)VO2多晶薄膜的相变.模拟结果显示,由于晶粒中间隙位置氩的存在,使VO2晶格畸变,导致了薄膜中部分晶粒的相变温度降低,使IBED VO2薄膜在48℃开始由半导体相向金属相转变.

关键词：VO2多晶薄膜、离子束增强沉积、晶格畸变、晶界隧穿

所属期刊栏目：10

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60277019,10175027

在线出版日期：2004-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：332-336