10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.011
CF4/Ar等离子体刻蚀中入射角对SiO2刻蚀速率的影响
在CF4/Ar的感应耦合等离子体中,用"法拉第筒"式的方法研究了SiO2刻蚀速率与不同离子入射角度之间的关系.在所施加的-20~300V射频偏压范围内,SiO2基片的归一化刻蚀速率(NER)呈现两种情况,当偏压值<100V时,归一化刻蚀速率的大小与基片倾斜角度θ符合余弦曲线规律;当偏压值>100V时,θ在15°~60°范围内,归一化刻蚀速率的大小在大于相应的余弦值,θ>60°时归一化刻蚀速率快速下降,在90°附近SiO2表面出现聚合物沉积.θ<60°时,SiO2的表面刻蚀主要决定于入射离子与基片表面间的能量转换,转换能量的大小深刻地影响着SiO2的刻蚀速率,同时也影响形成于基片表面的碳氟聚合物的去除速率.
感应耦合等离子体、归一化刻蚀速率、法拉第筒
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TN305(半导体技术)
国家自然科学基金10175048
2004-10-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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327-331