LaNiO3缓冲层对Pb(Zr,Ti)O3铁电薄膜的影响

摘要：

采用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3(PZT/LNO)多层薄膜.X射线衍射测量表明LNO缓冲层的引入使PZT薄膜(111)择优取向度减小,(100)取向增加.原子力显微镜测量表明引入LNO缓冲层使得PZT薄膜表面更加平整、致密.在LNO缓冲层上制备的PZT薄膜具有优良的铁电特性和介电特性:LNO缓冲层厚度为40nm时,500 kV/cm的外加电场下,剩余极化(Pr)为37.6μC/cm2,矫顽电场(Ec)为65 kV/cm;100 kHz时,介电常数达到822,并且发现LNO缓冲层的厚度为40nm,PZT的铁电、介电特性改进最为显著.

关键词：LaNiO3、PbZr0.4Ti0.6O3、铁电薄膜、剩余极化、介电特性

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分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60223006;上海市科委资助项目022261020;国家重点实验室基金200304

在线出版日期：2004-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：294-298