941nm连续波高功率半导体激光器线阵列

摘要：

用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长为940.5nm,输出功率高达37.7W(45A、2.0V),斜率效率可达0.99W/A(外微分量子效率为75%),最高转换效率超过45%,阈值电流密度为117A/cm2,该波长的半导体激光器是Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源.

关键词：高功率、金属有机化合物气相淀积、半导体激光器阵列、单量子阱

所属期刊栏目：10

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：河北省科技攻关项目03213540D

在线出版日期：2004-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：269-272