高温氢气退火提高硅片质量的研究

摘要：

研究了硅片高温氢气退火的工艺技术,实验显示,在高温1150℃,在高纯氢气氛中退火处理至少60min,在硅片表面产生约50μm以上的洁净层.测试了退火后硅片中氧的深度分布,发现硅片表面有一层低氧区,能提高硅片的质量,使氧化层错的密度降低一个数量级,测试数据还表明高温氢退火对降低COP缺陷的密度和提高氧化层的质量也有一定的效果.

关键词：高温氢退火、氧沉淀、晶体原生颗粒(COP)、氧化层错、与时间有关的介质击穿(TDDB)

所属期刊栏目：10

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2004-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：259-263