期刊专题

10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.019

快速凝固和热压高锰硅的微观结构和热电性能

引用
用快速凝固和热压烧结方法制备了三种不同成分的P型高锰硅(HMS)材料MnSi1.75-x(x=0,0.02,0.04).微观组织结构分析表明,在Mn4Si7半导体相基体中,存在小区域平行分布的薄片状MnSi金属相,其形成机制是在快速凝固时的准定向凝固.随高锰硅中Si含量的增加,试样的电导率下降,Seebeck系数上升.分析表明,影响高锰硅性能的主要因素在400℃以下是载流子散射,在约500℃以上是电子激发.实验得到的热电功率因子最高值为1.3×10-3Wm-1K-1(570℃).

高锰硅、快速凝固、热压、热电性能、热电材料

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TN304(半导体技术)

国家自然科学基金50171064;国家高技术研究发展计划863计划2002AA302406

2004-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

231-235

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功能材料与器件学报

1007-4252

31-1708/TB

10

2004,10(2)

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