离子注入制备掺Er富硅氧化硅材料光致发光

摘要：

利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温度的变化.试验表明:在1173K以上退火,注入硅集聚,形成φ(2-4)nm的纳米晶硅(nc-Si),纳米晶硅外面包裹非晶硅(a-Si),注入的Er离子分布在非晶硅中.通过非晶硅与硅纳米晶相耦合,非晶硅吸收部分硅纳米晶对Er的激发能量,降低了Er的激发效率;在T＞ 150K时,激发态Er与非晶硅间的能量背迁移降低了Er的发光效率.

关键词：Er、富硅氧化硅、光致发光、温度淬灭

所属期刊栏目：10

分类号：TN305.3(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2001AA312070

在线出版日期：2004-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：151-154