氧分压对RF磁控溅射ZrO2薄膜生长特性的影响

摘要：

采用反应射频(RF)磁控溅射法在n型(100)单晶Si基片上沉积了ZrO2薄膜,研究了氧分压与ZrO2薄膜的表面粗糙度和沉积速率、SiO2中间界层的厚度以及ZrO2薄膜的折射率之间关系.结果表明:随着氧分压增高,薄膜的沉积速率降低,表面粗糙度线性地增加;在低的氧分压情况下,Si基片表面的本征SiO2层的厚度增加幅度较小,在高的氧分压情况下,Si基片表面的本征SiO2层的厚度有较大幅度地增加;在O2/Ar混和气氛下,溅射沉积的ZrO2薄膜的折射率受氧分压的影响不显著,而在纯氧气气氛环境下,ZrO2薄膜的折射率明显偏低,薄膜的致密性变差.

关键词：反应射频磁控溅射、ZrO2薄膜、沉积速率、表面粗糙度

所属期刊栏目：10

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50240420656

在线出版日期：2004-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：145-150