掺Er-Al2O3薄膜发光特性的研究

摘要：

通过离子束辅助沉积(IBAD)在热氧化SiO2上沉积Al2O3薄膜,在120keV下注入5×10115cm-2Er离子,Ar气氛下773～1273K退火1h.低温下测试PL谱线,随退火温度升高,发光强度上升.973K退火下发光强度特别低,并观察到Si衬底的1140nm峰.光透射谱表明几乎在所有的测试范围内尤其在1530nm处973K退火样品的透射谱强度最强,波导损耗最低.1530nm发光强度随退火温度的变化跟发光强度的变化相反.说明Er离子在514.5nm泵谱吸收界面σ跟Al2O3的光吸收损耗有一定关系.

关键词：掺Er-Al2O3薄膜、PL谱、光透射谱

所属期刊栏目：10

分类号：TN305.3(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2001AA312070

在线出版日期：2004-04-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：29-32