电子束蒸发沉积制备高度晶体取向的CeO2薄膜

摘要：

为了得到CeO2为埋层的新型SOI(Silicon On Insulator)材料,采用电子束蒸发沉积及后期退火处理的方法制备得到了高度(111)、(311)晶体取向的CeO2薄膜,为进一步外延制备SOI材料打下了良好的基础.同时,从热力学角度就退火对CeO2薄膜晶体取向的影响机理进行了初步的探讨.由于CeO2(11)、(311)面为密排面和次密排面,在结晶化过程中所需克服的能垒最低和次低,所以,退火后形成了(111)、(311)结构的CeO2薄膜.

关键词：CeO2、高取向、退火、电子束蒸发

所属期刊栏目：10

分类号：TN305.8(半导体技术)

在线出版日期：2004-04-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：24-28