10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.004
V2O5薄膜结构和性能研究
在常温下,用脉冲磁控溅射方法石英玻璃和硅片上制备了薄膜,经过450℃退火,得到V2O5薄膜.用XRD、XPS和AFM对薄膜微观结构进行了测试,用分光光度计测量从200~2500nm波段V2O5薄膜的透射和反射光谱.结果表明,V2O5薄膜纯度高、相结构单一、结晶度好.室温到320℃范围内电阻变化2个量级,薄膜的光学能隙为2.46eV,与V2O5体材料性能一致.
V2O5薄膜、脉冲溅射、微结构、光电特性
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O484.4+1(固体物理学)
2004-04-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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