氮化碳薄膜的电化学沉积及其电阻率研究

摘要：

在ITO导电玻璃基底上,采用二氰二胺分散在DMF(N,N-二甲基甲酰胺)中形成的溶液做沉积液,阴极电化学沉积了CNx薄膜.X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶转换红外光谱(FTIR)的分析结果表明,沉积的CNx薄膜的N/C比为0.7左右,碳和氮主要以C-N、C=N的形式成键,有少量的碳和氮以C≡N的形式成键.拉曼光谱测试发现其存在多个吸收峰,对其进行分析的结果表明薄膜样品中含有α-C3N4和β-C3N4相的成分.电阻率测试表明,氮化碳薄膜的电阻率值达到1012～1013Ω·cm.

关键词：氮化碳、电化学沉积、电阻率

所属期刊栏目：10

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金20171007;高等学校博士学科点专项科研项目1999000718

在线出版日期：2004-04-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：9-13