水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长

摘要：

建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度场,讨论了反应室内GaCl和NH3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响,并对HVPE系统反应室的设计进行了优化.材料生长结果表明,厚度均匀性良好,直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660 arcsec.

关键词：GaN、HVPE、流体动力学

所属期刊栏目：9

分类号：O35;TN304.055(流体力学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2001AA311100

在线出版日期：2004-02-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：469-472