Si(111)衬底上生长GaN晶绳的研究

摘要：

利用热壁化学气相沉积在Si(111)衬底上获得GaN晶绳,采用傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对晶绳进行组成、结构、形貌和光学特性分析.初步结果证明:在Si(111)衬底上获得择优生长的六方纤锌矿结构的GaN晶绳.SEM显示在均匀的薄膜上出现6μm的晶绳,FTIR显示GaN薄膜的主要成分为GaN同时含有少量的C污染,由XRD和SAED的综合分析得出晶绳呈六方纤锌矿单晶结构,PL测试表明晶绳呈现不同于GaN薄膜的发光特性.

关键词：热壁化学气相沉积、氮化镓、晶绳

所属期刊栏目：9

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金90201025 and 60071006

在线出版日期：2004-02-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：464-468