i基区渐变掺杂SiGe/Si异质结开关功率二极管的特性模拟

摘要：

提出了在SiGe/Si异质结开关功率二极管的本征i区中采用掺杂浓度三层渐变式结构.由Medici模拟所得的特性曲线表明,该结构在正向I-V特性基本不发生改变的前提下,与i区固定掺杂结构相比具有更好的反向恢复电流与反向恢复电压特性,尤其软恢复特性更加明显,反向恢复过程加快.还对渐变掺杂所得到的优越性能进行了分析,从理论上给出了较好的解释.

关键词：SiGe/Si异质结、PIN二极管、渐变掺杂、Medici、软恢复

所属期刊栏目：9

分类号：TN312+.4;TN313+.6(半导体技术)

资助基金：信息产业部信息产业科研试制项目01XK610012

在线出版日期：2004-02-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：437-442