电感耦合等离子体刻蚀InP端面的掩膜特性研究

摘要：

深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响.首先比较了光刻胶、SiO2和Si3N4三种材料的掩膜特性,发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响.然后通过优化SF6等离子体刻蚀Si3N4的条件,得到了边缘平整且侧壁垂直的掩膜图形.利用这一掩膜制作技术,获得了深度达7μm的光滑垂直的InP刻蚀端面,选择比达15:1.

关键词：干法刻蚀、掩膜、ICP、InP、刻蚀端面

所属期刊栏目：9

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划TG2000036601;国家高技术研究发展计划863计划2001AA312190,2002AA31119Z;国家自然科学基金69896260-01

在线出版日期：2004-02-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：432-436