电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性

摘要：

采用ta-C薄膜用于SOI结构中的绝缘层,在高温高功率器件中有很大的应用潜力.应用真空磁过滤弧源沉积(FAD)的方法制备了ta-C薄膜.通过AFM、non-RBS、IR、I-V、C-V等方法对薄膜的表面形貌、微观结构和电学性能进行了研究.研究表明,ta-C薄膜的sp3键含量高达87%,且具有很高的表面光洁度(粗糙度低于0.5nm)及较好的电绝缘性能,击穿场强达到4.7MV/cm.

关键词：ta-C薄膜、真空磁过滤弧源沉积、SOI、电绝缘性能

所属期刊栏目：9

分类号：TN304.1+8(半导体技术)

在线出版日期：2004-02-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：415-418