垂直沟道器件的研究与进展

摘要：

介绍了垂直沟道器件的常见结构和工艺,分析了垂直沟道器件的最新进展以及垂直沟道器件制作工艺中的最新技术,详细讨论了垂直沟道器件的性能,并分析了垂直沟道器件的优点以及存在的问题.

关键词：垂直沟道器件、硅台刻蚀、外延、MOSFET

所属期刊栏目：9

分类号：TN303.12(半导体技术)

在线出版日期：2003-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：362-368