Gd扩渗对PbTiO3陶瓷导电性能和介电性能的影响

摘要：

采用气相法对 PbTiO3陶瓷扩渗 Gd元素,经扫描电镜和 X射线能谱分析,证实 Gd元素已渗入到 PbTiO3陶瓷中,并使 PbTiO3陶瓷的导电性能和介电性能发生了十分显著的变化.经Gd扩渗,PbTiO3陶瓷的室温电阻率从 2.0× 1010Ω@ m下降为 0.25Ω@ m,已趋近导体.随着温度升高,晶粒电阻和晶界电阻逐渐降低,导电性更强. Gd扩渗使 PbTiO3陶瓷的介电常数较纯PbTiO3陶瓷明显增大.

关键词：Gd、钛酸铅陶瓷、气相扩渗、导电性能、介电性能

所属期刊栏目：9

分类号：O614(无机化学)

资助基金：黑龙江省科技攻关项目GB02A301

在线出版日期：2003-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：333-336