AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管直流特性研究

摘要：

制备了大尺寸 AlGaInP/GaAs SHBT和 DHBT,对其直流特性进行了测试,并分析了 AlGaInP/GaAs单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(DHBT)的直流特性差异,深入研究了影响 AlGaInP/GaAs HBT开启电压(Voffset)的各个因素.结果表明: AlGaInP/GaAs HBT开启电压与外加基极电流密切相关,采用宽发射区可大大降低器件的开启电压.

关键词：异质结双极晶体管、AlGaInP/GaAs、直流特性、开启电压

所属期刊栏目：9

分类号：TN325+.3(半导体技术)

在线出版日期：2003-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：327-332