用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构

摘要：

提出一种新的牺牲层工艺.先将阳极氧化生成的多孔硅在 300℃的氮气氛下进行退火以稳定其多孔结构,然后将其在 700℃下氧化成为具有多孔结构的二氧化硅.用氧化的多孔硅材料作为牺牲层材料,既可以保留多孔硅牺牲层材料释放迅速的优点,又克服了多孔硅在释放时的局限性.实验运用氧化的多孔硅材料作牺牲层成功制备了悬空振膜和悬臂梁结构.

关键词：氧化多孔硅、牺牲层、悬空微结构、阳极氧化

所属期刊栏目：9

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2003-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：319-322