GaAsFET的表面漏电

摘要：

GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半 导体器件和电路的性能有重要的影响. Na+沾污 GaAs表面使表面漏电大幅度上升,硫钝化 GaAs 场效应管大幅度减少了表面态.本文详细介绍本研究组在 GaAsFET表面漏电的研究进展.

关键词：砷化镓场效应管、击穿电压、漏电、Na+沾污、硫钝化

所属期刊栏目：9

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：47-52